-
三菱IPM模塊PM15CSJ060
三菱IPM模塊PM15CSJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，
查看詳細(xì)介紹 -
三菱IPM模塊PM10CSJ060
三菱IPM模塊PM10CSJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，
查看詳細(xì)介紹 -
-
-
-
-
三菱IPM模塊PM600DVA060
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型（內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT）、D型（內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT）、C型（內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT）和R型（內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT）。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣
查看詳細(xì)介紹 -
三菱IPM模塊PM100RLA120
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。 IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型（內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT）、D型（內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT）、C型（內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT）和R型（內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT）。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣
查看詳細(xì)介紹 -
PM300CLA120三菱IPM模塊
PM300CLA120三菱IPM模塊，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型（內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT）、D型（內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT）、C型（內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT）和R型（內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT）。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣
查看詳細(xì)介紹 -
三菱IPM模塊PM10RHB120-2
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型（內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT）、D型（內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT）、C型（內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT）和R型（內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT）。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。
查看詳細(xì)介紹 -
三菱IPM模塊PM600DJA120
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。 IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型（內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT）、D型（內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT）、C型（內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT）和R型（內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT）。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣
查看詳細(xì)介紹 -
三菱IPM智能功率模塊PM800HSA120
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。 IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT)、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT)、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。
查看詳細(xì)介紹
