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  • PM800HSA060三菱IPM模塊PM800HSA060

    三菱IPM模塊PM800HSA060

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    2024-01-19

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  • PS21867-P三菱IPM模塊PS21867-P

    三菱IPM模塊PS21867-P

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  • PM600DVA060三菱IPM模塊PM600DVA060

    IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅動及保護電路構成,其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),中大功率的IPM使用陶瓷絕緣

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  • PM100RLA120三菱IPM模塊PM100RLA120

    IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅動及保護電路構成,其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。 IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),中大功率的IPM使用陶瓷絕緣

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  • PM300CLA120三菱IPM模塊

    PM300CLA120三菱IPM模塊,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅動及保護電路構成,其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),中大功率的IPM使用陶瓷絕緣

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  • PM10RHB120-2三菱IPM模塊PM10RHB120-2

    IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅動及保護電路構成,其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。

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  • PM600DJA120三菱IPM模塊PM600DJA120

    IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅動及保護電路構成,其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。 IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),中大功率的IPM使用陶瓷絕緣

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  • PM800HSA120三菱IPM智能功率模塊PM800HSA120

    IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優(yōu)選的門級驅動及保護電路構成,其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅動GTR,因而IGBT具有兩者的優(yōu)點。 IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。

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