英飛凌IGBT模塊FF400R07KE4

型號：	FF400R07KE4
報價：	888

分享到：

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

咨詢訂購

詳細(xì)資料：

北京京誠宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售英飛凌IGBT模塊FF400R07KE4

集電極—射極擊穿電壓: 650 V

集電極—射極飽和電壓: 1.95 V

集電極zui大連續(xù)電流 Ic: 400 A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

典型應(yīng)用
大功率變流器
電機(jī)傳動
UPS系統(tǒng)
電氣特性
增加阻斷電壓至650V
提高工作結(jié)溫Tvjop
高短路能力，自限制短路電流

FF150R12KS4_B2
FF150R12KS4
FF150R12KT3G
FF150R12YT3
FF150R12ME3G
FF150R12MS4G
FF200R12KE3
FF200R12KE4
FF200R12KS4
FF200R12KT3_E
FF200R12KT3
FF200R12KT4
FF200R12MT4
FF225R12ME3
FF225R12ME4_B11
FF225R12ME4
FF225R12MS4
FF300R12KE3
FF300R12KE4_B2
FF300R12KE4
FF300R12KS4
FF300R12KT3_E
FF300R12KT3
FF300R12KT4
FF300R12ME3
FF300R12ME4_B11
FF300R12ME4
FF300R12MS4
FF400R12KE3_B2
FF400R12KE3
FF400R12KT3_E
FF400R12KT3
FF400R12KL4C
FF450R12KE4
FF450R12KT4
FF450R12ME3
FF450R12ME4_B11
FF450R12ME4
FF450R12IE4