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英飛凌IGBT模塊FF400R07KE4

英飛凌IGBT模塊FF400R07KE4

型    號: FF400R07KE4
報    價: 888
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

詳細(xì)資料:

北京京誠宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售英飛凌IGBT模塊FF400R07KE4

 

集電極—射極擊穿電壓: 650 V

集電極—射極飽和電壓: 1.95 V

集電極zui大連續(xù)電流 Ic: 400 A

柵極—射極漏泄電流: 400 nA

典型應(yīng)用
大功率變流器
電機(jī)傳動

UPS系統(tǒng)
電氣特性
增加阻斷電壓至
650V
提高工作結(jié)溫Tvjop
高短路能力,自限制短路電流

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