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可控硅模塊可對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整與變換
點(diǎn)擊次數(shù):3358 更新時(shí)間:2019-06-24
 
  
  可控硅模塊在控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,它能夠起到對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整與變換的作用,在工業(yè)、通訊等場(chǎng)合作用極大。
  
  可控硅模塊的主要參數(shù):
  
  1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。
  
  2、反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。
  
  3、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào),陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。
  
  4、維持電流IH在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流。
  
  5、控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽(yáng)極--陰極間加有一定電壓時(shí),可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的zui小控制極電流和電壓。
  
  可控硅模塊六大使用注意事項(xiàng):
  
  1、線路中必須要設(shè)有過(guò)壓過(guò)流保護(hù)措施,串并聯(lián)使用時(shí)也必須要有均流措施。
  
  2、如果使用萬(wàn)用表來(lái)判斷器件是否損壞,則門(mén)陰間電阻,要有十幾或者幾十歐姆,否則門(mén)極很容易短路或者斷路,陰陽(yáng)極間的電阻,也要大于1MΩ,電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良,電阻接近零時(shí)則表明器件已擊穿,發(fā)現(xiàn)有斷路或者短路現(xiàn)象時(shí),則要立即更換。
  
  3、嚴(yán)禁使用兆歐表來(lái)檢查元件的絕緣情況。
  
  4、對(duì)于電流為以上的可控硅模塊就要安裝散熱器,并且其冷卻條件要滿足相關(guān)規(guī)定。
  
  5、按照相關(guān)規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅模塊采用過(guò)壓以及過(guò)流保護(hù)裝置。
  
  6、要防止出現(xiàn)可控硅模塊控制極的正向過(guò)載以及反向擊穿現(xiàn)象。
  
  
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