北京晶閘管的全動態(tài)測試，實(shí)際上是模擬器件的工頻應(yīng)用狀態(tài)，在正半周施加接近單相正弦半波的額定通態(tài)平均電流，使器件自身發(fā)熱，當(dāng)發(fā)熱與散熱達(dá)到熱平衡時，器件結(jié)溫將穩(wěn)定在一定值，此時在負(fù)半周施加正向或反向不重復(fù)峰值電壓或重復(fù)峰值電壓，在正向或反向重復(fù)峰值電壓下讀取正向或反向重復(fù)平均漏電流。在不加正向或反向峰值電壓時測取器件的通態(tài)平均壓降。當(dāng)重復(fù)平均漏電流和通態(tài)平均壓降都小于標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定值時，該器件為全動態(tài)測試合格。
 

　　北京晶閘管的全動態(tài)測試是過去部標(biāo)測試標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的器件出廠必測項(xiàng)目，它能將那些在高溫測試時重復(fù)峰值電壓和漏電流都合格而在通額定電流時結(jié)溫過高漏電流過大的器件淘汰掉，保證了器件出廠使用的可靠性。
 

　　該測試臺線路設(shè)計、主回路無負(fù)載電阻、節(jié)電效率高、操作簡單、保護(hù)可靠，是晶閘管模塊生產(chǎn)廠家控制產(chǎn)品質(zhì)量的重要檢測設(shè)備。
 

　　從北京晶閘管的各相參數(shù)看，經(jīng)常發(fā)生事故的參數(shù)有：電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開通時間、關(guān)斷時間等，甚至有時控制極也可燒壞。由于晶閘管各參數(shù)性能的下降或線路問題會造成晶閘管燒損，從表面看來每個參數(shù)所造成晶閘管燒損的現(xiàn)象是不同的，因此通過解剖燒損的晶閘管就可以判斷出是由哪個參數(shù)造成晶閘管燒壞的。
 

　　一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒損的小黑點(diǎn)說明是由于電壓引起的，由電壓引起燒壞晶閘管的原因有兩中可能，一是晶閘管電壓失效，就是我們常說的降伏，電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問題，線路中產(chǎn)生了過電壓，且對晶閘管所采取的保護(hù)措施失效。
 

　　北京晶閘管因?yàn)槠涮匦詫?dǎo)致比較容易出現(xiàn)損壞現(xiàn)象，因此我們在選購過程中，應(yīng)由其注意這方面的問題，關(guān)于晶閘管的相關(guān)知識，后續(xù)我們將繼續(xù)為大家進(jìn)行介紹。